וואָלףספּיד מעלדט קאמערציעלע לאָנטשירונג פון 200 מ״מ סיליקאָן קאַרבייד וועיפערס

וואָלפספּיד אָפפערט אויך 200 מ"מ SiC עפּיטאַקסי פֿאַר באַלדיקע קוואַליפיקאַציע, וואָס, ווען געפּאָרט מיט זייַנע 200 מ"מ נאַקעטע וועיפערס, גיט וואָס מען זאָגט איז דורכברוך סקאַלאַביליטי און פֿאַרבעסערטע קוואַליטעט, וואָס ערמעגליכט די קומענדיקע דור פון הויך-פאָרשטעלונג מאַכט דעוויסעס.

"וואָלפספּיד'ס 200 מ"מ SiC וועיפערס זענען מער ווי אַן אויסברייטערונג פון וועיפער דיאַמעטער - עס רעפּרעזענטירט אַ מאַטעריאַלן כידעש וואָס געבט אונדזערע קאַסטאַמערז די מעגלעכקייט צו פאַרגיכערן זייערע דעווייס ראָודמאַפּס מיט בטחון," זאָגט ד"ר סענגיז באַלקאַס, הויפּט ביזנעס אָפיציר. "דורך צושטעלן קוואַליטעט אין גרויסן מאָסשטאַב, געבט וואָלפספּיד די מעגלעכקייט צו טרעפן די וואַקסנדיקע פאָדערונג פֿאַר העכער-פּערפאָרמינג, מער עפֿעקטיווע סיליקאָן קאַרבייד לייזונגען."

די פֿאַרבעסערטע פּאַראַמעטרישע ספּעציפֿיקאַציעס פֿון די 200 מ״מ SiC בלויזע וועיפֿערס ביי 350µm גרעב און וואָס מען זאָגט איז פֿאַרבעסערט, אינדוסטריע-פֿירנדיקע דאָפּינג און גרעב יונאַפֿאָרמאַטי פֿון די 200 מ״מ עפּיטאַקסי ערמעגלעכט דעווייס פאַבריקאַנטן צו פֿאַרבעסערן MOSFET ייעלדס, באַשנעלערן צייט-צו-מאַרק, און צושטעלן מער קאָנקורענטפֿעיִקע לייזונגען אין אָטאָמאָטיוו, רינואַבאַל ענערגיע, אינדוסטריעל, און אַנדערע הויך-וואַקס אַפּלאַקיישאַנז, זאָגט וואָלפֿספּיד. די פּראָדוקט און פאָרשטעלונג פֿאָרשריטן פֿאַר 200 מ״מ SiC קענען אויך ווערן געווענדט צו קאָנטינויִערלעכע לערנונגען פֿאַר 150 מ״מ SiC מאַטעריאַל פּראָדוקטן, לייגט די פֿירמע צו.

"די דאזיגע פארשריט שפיגלט אפ וואָלפספּיד'ס לאַנגיעריגע איבערגעגעבנקייט צו שטופן די גרענעצן פון סיליקאָן קאַרבייד מאַטעריאַל טעכנאָלאָגיע," זאָגט באַלקאַס. "די דאזיגע לאָנטשירונג ווייזט אונדזער פיייקייט צו פאָרויסזאָגן קונה באדערפענישן, סקאַלירן מיט פאָדערונג, און צושטעלן די מאַטעריאַל יסוד וואָס מאכט די צוקונפֿט פון מער עפעקטיוו מאַכט קאַנווערזשאַן מעגלעך."